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产品简介:
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MT46H128M16LFB7-6 WT:B TR是美光科技(Micron Technology Inc.)生产的一款DDR2 SDRAM存储器,容量为2Gb(128M x 16),采用78球FBGA封装,工作电压1.8V,速度等级为6ns(对应时钟频率约333MHz,PC2-5300)。该型号属于高性能、低功耗的同步动态随机存取存储器,广泛应用于对稳定性与数据处理效率要求较高的嵌入式系统和工业设备中。 典型应用场景包括:网络通信设备(如路由器、交换机)、工业控制主板、医疗电子设备、视频监控系统、车载信息终端以及中低端服务器模块等。由于其符合工业级温度范围(通常为-40°C至+85°C),具备良好的环境适应性和长期运行可靠性,因此特别适用于恶劣或持续工作的工业环境。 此外,该芯片也常见于需要升级或替换DDR2内存的老式工控设备或专用仪器中,支持高密度数据缓存与快速读写操作,有助于提升系统整体响应速度。尽管当前主流消费类电子产品已转向DDR3/DDR4/DDR5,但MT46H128M16LFB7-6在工业和特定领域仍具有重要应用价值。
参数 | 数值 |
产品目录 | 集成电路 (IC) |
描述 | IC LPDDR SDRAM 2GBIT VFBGA |
产品分类 | 存储器 |
品牌 | Micron Technology Inc |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | MT46H128M16LFB7-6 WT:B TR |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
供应商器件封装 | 60-VFBGA (10x10) |
包装 | 带卷 (TR) |
存储器类型 | 移动 LPDDR SDRAM |
存储容量 | 2G(128M x 16) |
封装/外壳 | 60-VFBGA |
工作温度 | -25°C ~ 85°C |
接口 | 并联 |
标准包装 | 1,000 |
格式-存储器 | RAM |
电压-电源 | 1.7 V ~ 1.95 V |
速度 | 166MHz |